In diesem Beitrag werden die wichtigsten technischen Daten und Pinbelegungen eines N-Kanal-Mosfets 2N7000G mit kleinem Signal und geringem Stromverbrauch erläutert.
Mosfets gegen BJTs
Wenn wir von Mosfets sprechen, verbinden wir dies normalerweise mit Hochstrom-, Hochspannungs- und Hochleistungsanwendungen.
Genau wie bei gewöhnlichen BJTs sind jedoch auch kleine Signalmücken erhältlich, die genauso effektiv eingesetzt werden können wie ihre BJT-Gegenstücke.
Mosfets sind beliebt für ihre extrem hohen Leistungsfähigkeiten, sind jedoch mit ihren Gesamtabmessungen kleiner.
Im Gegensatz zu den BJTs würden Mosfets große Ströme und Spannungen verarbeiten, ohne selbst größer zu werden und ohne Zwischenpufferstufen oder Hochstromtreiberstufen.
Wie Mosfet ausgelöst wird
Der größte Vorteil der Verwendung eines Mosfets besteht darin, dass er unabhängig vom Gate-Ansteuerstrom wie gewünscht für den Betrieb einer bestimmten Last ausgelöst werden kann.
Mit der obigen Funktion können Mosfets direkt von Niedrigstromquellen wie CMOS- oder TTL-Ausgängen ausgelöst werden, ohne dass Pufferstufen erforderlich sind. Dies ist ein großer Unterschied zu BJTs.
Das obige Merkmal gilt auch für Kleinsignal-Mosfets, die direkt gegen Kleinsignal-BJTs wie einen BC547 ausgetauscht werden können, um sehr effiziente Ergebnisse zu erzielen. Ein solches kleines Signal-Mosfet-Datenblatt, Spezifikation, wird hier diskutiert.
Es handelt sich um den N-Kanal-Mosfet 2N7000G, der normalerweise für Kleinsignalanwendungen im Bereich von 200 mA und maximal 60 V geeignet ist.
Der Einschaltwiderstand an den Drain- und Source-Anschlüssen beträgt typischerweise etwa 5 Ohm. Die Hauptmerkmale dieses kleinen Signal-Mosfets mit geringem Stromverbrauch sind unten aufgeführt:
Elektrische Hauptmerkmale:
Drain zur Quellenspannung Vdss = 60V DCGate zur Quellenspannung Vgs = +/- 20V DC, +/- 40V DC Spitze nicht repetitiv, 50 Mikrosekunden nicht überschreitenDrainstrom Id = 200mA DC kontinuierlich, 500mA gepulst
Gesamtverlustleistung Pd bei Tc = 250 C (Sperrschichttemperatur) = 350 mW Die Pinbelegung und Gehäusedetails finden Sie hier:
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