Wie man eine Solarzelle aus einem Transistor macht

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Die Mehrheit der neuen elektronischen Hobbyisten hätte sicherlich ein paar verbrannte Leistungstransistoren wie 2N3055 in ihrer Junk-Box versteckt.

Angenommen, die internen Halbleiterübergänge sind noch intakt, könnte das Gerät durch Feilen oder Absägen der oberen Kappe des Geräts in eine schöne kleine Solarzelle verwandelt werden, um den internen eingebetteten Chipchip freizulegen.



Wie viel Strom kann mit einer 2N3055-Solarzelle erzeugt werden?

Wenn dieser 2N3055-Chip-Halbleiter starkem Sonnenlicht ausgesetzt ist, wird er wahrscheinlich bei Strömen von bis zu 20 mA ungefähr 0,7 V herauskurbeln. Die Grafik zeigt die gezogene Ausgangsspannung gegenüber dem Laststrom.

So erhöhen Sie die aktuelle

Da die Oberfläche des Siliziumchips im Vergleich zu einer Standardsolarzelle winzig ist, benötigen Sie möglicherweise eine Lupe oder eine konvexe Linse, um Sonnenstrahlen über dem Siliziumchip zu konzentrieren und den Ausgangsstrom zu erhöhen.



Auf der anderen Seite wird extrem starkes konzentriertes Sonnenlicht strengstens nicht empfohlen, da sonst der Transistorübergang dauerhaft verbrannt werden kann!

Vorteil der Verwendung des neuen 2N3055

Wenn ein Transistor in gutem Zustand verwendet wird, kann sich der Ausgangsstrom verdoppeln, wenn der Kollektor-Basis- und der Emitter-Basis-Übergang a parallel verdrahtet sind, wie im Schaltplan angegeben.

Dies ist möglicherweise nicht möglich, wenn der Transistor bereits fehlerhaft ist. Dies liegt daran, dass ein beschädigter Transistor einen fehlerhaften Übergang aufweisen kann, der kurzgeschlossen werden kann und einen Kurzschluss am Ausgang der Solarzelle verursacht.

So erhalten Sie 12 V von 2N3055 Solar Cell

Um 12 V von 2N3055-Solarzellen zu erhalten, müssen Sie möglicherweise 18 davon in Reihe schalten, wie in der folgenden Abbildung dargestellt.

Da jedes Gerät in der Lage ist, etwa 0,7 V zu erzeugen, könnte die erzeugte Gesamtspannung etwa 0,7 x 18 = 12,6 V betragen. Der maximale Strom würde sich jedoch nicht ändern und immer noch etwa 40 mA betragen.

Warnung: Bitte verwenden Sie keine veralteten Germanium-Leistungstransistoren, da diese Typen möglicherweise extrem giftige Inhaltsstoffe enthalten können. Andererseits hat ein führender Halbleiterhersteller festgestellt, dass die moderneren Siliziumbauelemente, einschließlich des 2N3055, in dieser Hinsicht absolut sicher sind.




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