Wir wissen, dass der p-Typ und der n-Typ Halbleiter unter extrinsische Halbleiter fallen. Die Klassifizierung des Halbleiters kann auf der Grundlage einer Dotierung wie intrinsisch und extrinsisch gemäß der betreffenden Reinheit erfolgen. Es gibt viele Faktoren, die den Hauptunterschied zwischen diesen beiden Halbleitern erzeugen. Die Bildung von Halbleitermaterial vom p-Typ kann durch Zugabe der Elemente der Gruppe III erfolgen. Ebenso der n-Typ Halbleiter Material kann durch Hinzufügen von Elementen der Gruppe V gebildet werden. Dieser Artikel beschreibt den Unterschied zwischen Halbleitern vom P-Typ und Halbleitern vom N-Typ.
Was ist ein Halbleiter vom P-Typ und ein Halbleiter vom N-Typ?
Die Definitionen von p-Typ und n-Typ und ihre Unterschiede werden unten diskutiert.
Der Halbleiter vom P-Typ kann definiert werden als, sobald die dreiwertigen Verunreinigungsatome wie Indium, Gallium zu einem intrinsischen Halbleiter hinzugefügt werden, und dann ist er als Halbleiter vom p-Typ bekannt. In diesem Halbleiter sind die Majoritätsladungsträger Löcher, während Minoritätsladungsträger Elektronen sind. Die Lochdichte ist höher als die Elektronen Dichte. Das Akzeptanzniveau liegt hauptsächlich näher am Valenzband.
P-Halbleiter
Der Halbleiter vom N-Typ kann definiert werden als, sobald die fünfwertigen Verunreinigungsatome wie Sb As zu einem intrinsischen Halbleiter hinzugefügt werden, und dann ist er als Halbleiter vom n-Typ bekannt. In diesem Halbleiter sind die Majoritätsladungsträger Elektronen, während Minoritätsladungsträger Löcher sind. Die Elektronendichte ist höher als die Dichte der Löcher. Das Donorniveau liegt hauptsächlich näher am Leitungsband.
Halbleiter vom N-Typ
Unterschied zwischen Halbleitern vom P-Typ und Halbleitern vom N-Typ
Der Unterschied zwischen einem p-Halbleiter und einem n-Halbleiter umfasst hauptsächlich verschiedene Faktoren nämlich die Ladungsträger wie Mehrheit & Minderheit, Dotierungselement, Art des Dotierungselements, Dichte der Ladungsträger, Fermi-Niveau, Energieniveau, Richtungsbewegung der Mehrheitsladungsträger usw. Der Unterschied zwischen diesen beiden ist in der Tabelle aufgeführt Formular unten.
| P-Halbleiter | Halbleiter vom N-Typ |
| Der Halbleiter vom P-Typ kann durch Zugabe von dreiwertigen Verunreinigungen gebildet werden | Der Halbleiter vom N-Typ kann durch Zugabe von fünfwertigen Verunreinigungen gebildet werden |
| Sobald die Verunreinigung hinzugefügt ist, erzeugt sie Löcher oder Leerstellen von Elektronen. Das nennt man also ein Akzeptoratom. | Sobald die Verunreinigung hinzugefügt ist, gibt es zusätzliche Elektronen. Das nennt man also ein Spenderatom. |
| Die Elemente der III-Gruppe sind Ga, Al, In usw. | Die V-Gruppenelemente sind As, P, Bi, Sb usw. |
| Die Mehrheitsladungsträger sind Löcher und die Minoritätsladungsträger sind Elektronen | Die Mehrheitsladungsträger sind Elektronen und die Minoritätsladungsträger sind Löcher |
| Das Fermi-Niveau des p-Halbleiters liegt hauptsächlich zwischen dem Energieniveau des Akzeptors und dem Valenzband. | Das Fermi-Niveau von n-Halbleitern liegt hauptsächlich zwischen dem Energieniveau des Donors und dem Leitungsband. |
| Die Dichte des Lochs ist sehr hoch als die Dichte des Elektrons (nh >> ne) | Die Elektronendichte ist sehr hoch als die Lochdichte (ne >> nh) |
| Die Konzentration der Mehrheitsladungsträger ist höher | Die Konzentration der Mehrheitsladungsträger ist höher |
| Beim p-Typ liegt das Energieniveau des Akzeptors nahe am Valenzband und fehlt im Leitungsband. | Beim n-Typ liegt das Energieniveau des Donors nahe am Leitungsband und fehlt im Valenzband. |
| Die Bewegung des Mehrheitsladungsträgers wird von einem hohen Potenzial zu einem niedrigen Potenzial führen. | Die Bewegung des Mehrheitsladungsträgers wird von einem niedrigen Potential zu einem hohen Potential führen. |
| Wenn die Konzentration der Löcher hoch ist, trägt dieser Halbleiter die Ladung + Ve. | Dieser Halbleiter trägt vorzugsweise eine -Ve-Ladung. |
| Die Bildung von Löchern in diesem Halbleiter wird als Akzeptoren bezeichnet | Die Bildung von Elektronen in diesem Halbleiter wird als Akzeptoren bezeichnet |
| Die Leitfähigkeit vom p-Typ beruht auf dem Vorhandensein von Hauptladungsträgern wie Löchern | Die Leitfähigkeit vom n-Typ beruht auf dem Vorhandensein von Majoritätsladungsträgern wie Elektronen. |
FAQs
1). Was sind die dreiwertigen Elemente, die im p-Typ verwendet werden?
Sie sind Ga, Al usw.
2). Was sind fünfwertige Elemente, die im n-Typ verwendet werden?
Sie sind As, P, Bi, Sb
3). Was ist die Dichte der Löcher im p-Typ?
Die Lochdichte ist höher als die Elektronendichte (nh >> ne)
4). Was ist die Dichte der Elektronen im n-Typ?
Die Elektronendichte ist höher als die Lochdichte (ne >> nh)
5). Welche Arten von Halbleitern gibt es?
Sie sind intrinsische und extrinsische Halbleiter
6). Welche Arten von extrinsischen Halbleitern gibt es?
Sie sind p-Halbleiter und n-Halbleiter.
Hier geht es also um den Hauptunterschied zwischen einem p-Halbleiter und einem n-Typ Halbleiter . Beim n-Typ haben die Mehrheitsladungsträger eine -ve-Ladung, daher wird sie als n-Typ bezeichnet. In ähnlicher Weise kann beim p-Typ das Ergebnis einer + ve-Ladung in Abwesenheit von Elektronen gebildet werden, weshalb es als p-Typ bezeichnet wird. Die Materialunterschiedlichkeit zwischen der Dotierung dieser beiden Halbleiter ist die Strömungsrichtung des Elektrons durch die abgeschiedenen Halbleiterschichten. Beide Halbleiter sind gute Leiter für Elektrizität. Hier ist eine Frage für Sie, wie ist die Bewegung der Mehrheitsladungsträger im p-Typ & n-Typ?
